马博技术解析硅技术制程前沿现场
2007春季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum）于今天（4月17日）在中国北京召开，所有展厅对外开放，英特尔的专家以及各领域的顶尖级人才都将汇集这里，在中国，北京，是您2007年春季唯一机会在这场全球攸关高能效表现的重要峰会，获得权威的技术信息，最广泛的行业协作和创新机会。
此次英特尔信息技术峰会邀集数位英特尔全球技术精英群聚本次峰会。主题演讲的技术领袖及专题讲座的行业精英从更具体更有针对性地角度与您分享独特的见解，面对面的交流，更多亲自体验的机会，工作效率就在这里得到提升。精彩的主题演讲之余，两天二十多个量身定制的技术专题讲座等待您的参与，聆听详尽的技术基础架构精髓，与梦寐以求的英特尔技术专家面对面的交流，尽释疑惑，提升效能，尽在英特尔信息技术峰会。
IT世界网作为国内知名媒体，被邀请到现场进行报道，为了能够为广大网友提供最快速的信息通道，我们将不断的从前端现场为大家发回精彩的IDF现场报道。
英特尔公司技术与制造事业部高级院士兼制程架构与集成部门总监马博主持了第二场演讲
马博主要和大家分享了关于英特尔制程方面的技术分析，他的演讲主题是：硅技术前沿。英特尔继续在芯片发展方面担当着行业领导者的角色，不仅率先推出了45纳米高K/金属栅极晶体管。英特尔高级院士马博从技术角度对这些卓越成就进行深入阐述。英特尔拥有一整套芯片技术研究流水线，将继续遵循摩尔定律，每两年推出一项新的制程技术。马博就晶体管扩展的演进过程，以及目前正在探索的一些面向未来的技术进行了精采的讲解。
马博谈到制程的问题，45纳米将在今年登场，而紧接下来的32纳米会在2009年发布
他开始和大家一起回顾制程发展历程，从130nm开始说起
然后说到90nm
去年的65nm制程
马博对65nm进行了详尽的讲解，随后提到45nm的高K+金属栅极晶体管技术
在硅技术方面，英特尔继续引领着产业发展。英特尔曾第一个推出90纳米应变硅技术，现在又率先开发出45纳米高-K金属栅极晶体管。英特尔资深院士马博介绍了英特尔取的这些成就。英特尔拥有硅研究和技术渠道，而根据摩尔定律，可以每两年推出一项新制程技术。马博还描述了晶体管的升级换代已经产生的变化，以及面向未来的一些技术探索。
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